Archive

Abstract. Based on the concept of a generalized ball introduced in the author's early works, this article introduces the concept of an abstract symmetric channel with a given set of symbols for transmitting information and for such a channel the concept of a generalized error-correcting code is introduced. A theorem on the number of such abstract symmetric channels is formulated. The concept of a perfect generalized error-correcting code is also introduced. A simple example of generalized error-correcting code is given.

Annotatsiya. Ushbu ishda tanib olish masalalarini hal qilishda algebraik yondashuv algoritmlari ko‘rib chiqiladi. 1970-yillarning boshlarida Y.I. Juravlev tomonidan baholarni hisoblash algoritmlari (BHA) modeli ishlab chiqilgan bo‘lib, tanib olish operatori va qaror qabul qilish qoidalarining birlashmasidan iboratdir. Ushbu modelning asosiy konsepsiyasi nazorat obyektlarning sinflarga tegishliligini aniqlash uchun baholash matritsasini tuzish va qaror qabul qilish qoidalariga asoslangan holda tasniflashdir. 1970-yillarning oxirida Y.I. Juravlev algebraik yondashuvni taklif qilgan, bu yondashuv nekorrekt algoritmlar ustida algebraik amallar orqali to‘g‘ri algoritm-polinomlar qurishni o‘z ichiga oladi. Ushbu maqolada algebraik yondashuvning rivojlanishi, qo‘llanishi va zamonaviy tuzilmalar bilan bog‘liq muammolar batafsil tahlil qilinadi

Аннотация. На основе гипотезы, что теплоноситель течет по внешнему контуру многосекционного радиатора, а во внутренних вертикальных патрубках теплоноситель отстаивает, разработаны способы гидравлического и теплового расчета многосекционного радиатора. Для расчета распределения расходов по дугам и узловых давлений использовали квадратичный закон сопротивления и аналоги законов Кирхгофа. При описании изменения температуры по дугам с потоком теплоносителя использованы формула Шухова и результаты решения задачи теплопередачи в вертикальных промежуточных цилиндрических патрубках с внутренним покоящимся теплоносителем и внешней атмосферы. Для теплообменников с ограниченным числом секций получены и анализированы результаты численных расчетов, в частности, по потери напора и тепла в участке с теплообменником. 

Аннотация. В данной статье рассмотрена задача построения корректного алгоритма с операторами линейного замыкания модели вычисления оценок для идентификации объектов в IoT. Разработан оператор алгоритма, который считается корректным для задачи Z, представляет собой сумму q операторов модели расчета оценок и описывается набором числовых параметров 3nmq, где n — количество заданных признаков, m — количество эталонных объектов, q — множество распознанных объектов. В рамках алгебраического подхода построены несколько вариантов линейных комбинаций распознающих операторов, применение которых дает корректный ответ на контрольном материале и это доказано в виде теорем. Построенные корректные алгоритмы распознавания, которые являются наиболее простыми в применении, где нет процедуры оптимизации позволили в оперативном режиме решить вопросы идентификации входящих потоков информации в IoT

Annotatsiya. Ushbu maqolada sopolimerlinish konstantalarni topish uchun modellashtirish imkoniyatlaridan foydalanish ko’rib chiqilgan. Sopolimerizatsiya konstantasini xisoblash uchun algoritm tuzilgan va ushbu algoritmdan foydalanib tuzilgan dastur asosida konstantalar xisoblangan. Olingan natijalar sohasidagi keyingi tadqiqotlar uchun asos bo’lib xizmat qilishi mumkin.

Annotation. The question of using non-crystalline silicon as a substrate of an effective solar cell is considered. It is shown that the creation of an effective solar cell from non-crystalline silicon is possible only at high densities of localized defective energy states in the depth of the silicon band gap. It is shown that a particularly effective conversion of solar energy into electricity is possible when two materials are combined as components of heterojunctions: non-crystalline silicon and lead chalcogenides in the nano-dimensional state. It is shown that especially lead chalcogenides are characterized by a strong manifestation of the effects of multi-exciton generation and carrier multiplication.

Аннотация. Из термодинамических представлений показано, что внешнее гидростатическое давление Р приводит к распаду примесных преципитатов, имеющихся в полупроводниковых материалах. Условием распада является равенство ???????? = ????????????, где ???????? и (????????) - энергия образования и объем преципитата. Экспериментально барический барьер преципитатов обнаружен в кремнии с примесями никеля, а в кремниевых барьерах Шоттки и структурах металл-диэлектрик-полупроводник обнаружены "поверхностные преципитаты" различной природы, последовательно выявляемые по мере повышения давления. Электронно-микроскопические и рентгено-диффракционные исследования позволили установить в Si <Ni> многослойную структуру преципитата, состоящую главным образом из ряда силицидов никеля

Аннотация. Ушбу ишда чўктириш усули ёрдамида соф ва Al атомлари 1% дан 5% гача киритилган ZnO қопламалари ўстирилди. Al атомлари миқдори 1% бўлган ZnO пленкаларининг солиштирма қаршилиги энг кичик қийматни қабул қилиши ва 2% дан юқори бўлган қийматларда эса уларнинг аста секин ортиб бориши аниқланди. Al атомлари миқдори 1% бўлганида заряд ташувчилар консентрацияси энг юқори 2.3∙10¹⁸ см^-3 қийматни қабул қилиши ҳамда киришма миқдори 5% гача ортиши билан 2.9∙10¹⁷ см^-3 гача камайиб бориши аниқланди. Al атомлари 1% дан 5% гача киритилган ZnO пленкаларида заряд ташувчилар харакатчанлиги µе нинг қиймати дастлаб киришма миқдори 2% гача бўлганда камайиши, сўнгра ундан юқори миқдорларда ортиши аниқланди

Выполнено молекулярно-динамическое моделирование эволюции нанокристаллических металлов, состоящих из 64000 атомов, при бомбардировке кластерами Ag_nСо_n с начальной энергией от 0,1 до 1,5 эв. В качестве падающих кластеров на поверхность Ag использовались бинарные кластеры Ag_nCo_n состоящие из равных по количеству атомов долей соответствующих элементов.

В результате моделирования получены характеристики наноструктур в зависимости от энергии, размера и состава осаждаемых кластеров.

Maqolada kremniyga nikel atomlarini diffuziya sharoyitlari va undan keyingi issiqlik bilan ishlovlarini uning elektr o’tkazuvchanligi va tok tashuvchilar harakatchanligiga tasirlarini o’rganish natijalari keltirilgan. Tajriba natijasida 310÷550 K haroratlarda qizdirish namunalar elektr o’tkazuvchanligiga deyarli ta’sir etmasligi aniqlandi, qarshilikni qisman o’zgartirishi tok tashuvchilar harakatchanligini o’zgarishi bilan tushuntiriladi

Gallium arsenide, like many other A³B⁵ semiconductors, is an essential material for ultrafast electronic and optical devices, but they almost always contain point defects in the crystal lattice, the size of which is equal to the size of the lattice atoms [1]. Experiments have been carried out and the influence of Ag impurity on high-voltage p⁰-n⁰ heterojunctions and devices based on a lightly doped gallium arsenide layer has been studied. A study of the influence of Ag impurities on the position of the p⁰-n⁰ transition, the concentration and nature of the distribution of the majority charge carriers, the diffusion length of minority charge carriers, the mobility of charge carriers, the occurrence of deep levels in a lightly doped gallium arsenide layer were determined.

Annotatsiya. Maqolada vismut va surma xalkogenidlari asosida mustahkamlangan termoelektrik materiallar olish texnologiyasini ishlab chiqish, kontaktlashuvchi yuzalarning metallashtirishdan foydalangan holda samarali kommutatsiya o‘tishlarini yaratish, kontakt oldi sohalaridagi diffuziya jarayonlarini o‘rganish maqsad qilib olingan. Ushbu maqsadni amalga oshirish uchun Bi₂Te_2,88Se_0,12 va Bi_0,5Sb_1,5Te₃ asosidagi qattiq eritmalar nikel bilan legirlandi. Olingan termoelektrik yarimo‘tkazgich namunalarning mexanik va galvanomagnit xossalari, kontaktga yaqin sohalarda ro‘y beradigan kommutatsiya materiallari va diffuziya jarayonlarining xossalari va termoelementlarning kommutatsiya imkoniyatlari o‘rganilgan. Bi₂Te₃Ni termoelektrik yarimo‘tkazgich namunalarning temroEYUK koeffisiyentining temperaturaga bog‘liqligi solishtirma qarshilig, Xoll koeffisiyenti va zaryad tashuvchilarning temperaturaga bog‘liqligi o‘rganilgan.

В статье представлено исследование по выводу общего динамического уравнения электропроводности, учитывающего дополнительные внешние факторы с созданием иного внешнего поля. иллюстративный пример на основе, также приведен полупроводников и Si, организующих единый элемент. Для получения соответствующего уравнения затрагивается метод прямого вывода уравнения теплопроводности из частичного прототипа уравнения Гельмгольца с последующим его сведением к уравнению Лапласа в электростатическом моделировании. В заключение приводятся само уравнение, граничные условия для указанной модели и эмпирические данные, полученные при ее реализации. Установлено, что при использовании внешнего электрического поля и коронного разряда потенциальные барьеры между слоями полупроводникового элемента в виде теллурида кадмия, оксида кремния и кристаллического кремния в зонах истощенных слоев сглаживаются, а после термообработки восстановление также продолжается CdTe. Впервые  наблюдается эффекта Пула-Френкеля в гетероструктуре CdTe-SiO₂-Si, смещение глубокого уровня E_c-0,70эВ в стороны в ближе инфракрасного  спектра под влиянием внешнего электрического поля

Ushbu maqolada ikkilamchi qotishmalarning erishi natijasida, qattiq eritmalarning uzluksiz qatorini hosil qilishi va parallel joylashgan qatlamlari, qatlamning atomlari va ular hosil qilgan tekis olti burchakli panjara hosil bo’lishi tushuntirilgan. Hozirgi vaqtda 300-350 °C dan past haroratlarda ishlaydigan termoelektrik sovutish moslamalari va termogeneratorlar uchun asosiy materiallar Bi₂Te₃ - Bi₂Se₃ va Bi₂Te₃ - Sb₂Te₃ qattiq eritmalaridir.

Ushbu qattiq eritmalarning tarkibiy qismlari bo‘lgan xalkogenidlar orasida vismut telluridi eng batafsil o‘rganilgan. Buning sababi, birinchidan, vismut telluridining o‘zi ancha yuqori termoelektrik parametrlarga ega va termoelektrik qurilmalarning dastlabki modellarida ishchi material sifatida keng qo‘llanilgan. Ikkinchidan, legirlovchi bilan uni p- va n-tipini olish mumkin edi. Va nihoyat, vismut telluridni juda mukammal monokristallar shaklida tayyorlash oson edi. Bu ko‘rib chiqilayotgan qattiq eritmalarda jarayonlarni tartibga solish bo‘yicha yagona nuqtai nazar yo‘q va stexiometriyadagi siljish haqida batafsil ma’lumotlar yo‘q. Shundan, materiallarning ko‘p komponentliligi va kristall panjarada turli xil atomlararo o‘zaro ta’sirlarning mavjudligi bilan izohlanadi.

Mazkur maqolada vismut telluridi (Bi₂Te₃) yarimo‘tkazgich kristallarining atomlararo bog‘lanishlari va elektron tuzilishining o‘ziga xos xususiyatlari nazariy va eksperimental jihatdan o‘rganilgan. Bi₂Te₃ kristallarining trigonal singoniyada qatlamli strukturasi, uning termoelektrik xossalariga ta’sir qiluvchi elektron zonalar strukturasidagi spin-orbital bog‘lanish hodisasi va qatlamlararo Van der Vaals kuchlarining ahamiyati tahlil qilingan. Tadqiqotda Mooser-Pearson, Lagrenaudie va Drabble-Goodman modellari asosida Bi–Te atomlararo bog‘lanish turlari chuqur tadqiq etilgan. Natijalarda Bi₂Te₃ ning 60° li egizak chegaralari mavjudligida elektron strukturasida sezilarli o‘zgarishlar yuzaga kelishi va bu holatlarning materialning termoelektrik, optik va elektr xossalariga ta'siri ko‘rsatilgan. Mazkur tadqiqot Bi₂Te₃ asosidagi yangi termoelektrik va spintronik materiallarning rivojlanishiga muhim asos yaratishi mumkin.

Mazkur maqolada vismut va surma xalkogenidlari (Bi₂Te₃–Sb₂Te₃) asosida tayyorlangan yupqa parda termoelektr elementlarining Zeebek koeffitsientini harorat gradientiga bogʻliqlikda o‘rganish natijalari bayon etiladi. Termoelektr materiallarning asosiy parametrlari, xususan, Zeebek effekti hamda Zeebek koeffitsienti haqida nazariy ma’lumotlar keltirilib, ushbu fizik kattalikning mikro issiqlik datchiklari hamda mikrotermoelektr generatorlar yaratishdagi ahamiyati ta’kidlangan.

Tadqiqotda to‘rt zond usulidan foydalanilgan bo‘lib, harorat farqi (∆T) orttirib borilganda hosil bo‘ladigan termoelektrik kuchlanish (U) to‘g‘ridan-to‘g‘ri o‘lchangan. Namunaning har ikki uchidagi haroratlar (T₁ va T₂) qayd qilinib, ularning farqi (∆T) va tegishli termoelektrik kuchlanish (U) qiymatlari asosida Zeebek koeffitsienti (α) hisoblab chiqilgan. Olingan natijalar shuni ko‘rsatadiki, Bi₂Te₃–Sb₂Te₃ asosidagi yupqa pardalarda harorat gradienti ~15 K dan ~65 K gacha ortib borishi bilan Zeebek koeffitsienti 128 mkV/K dan 138 mkV/K gacha o‘zgarib turadi. Grafik tahlil Zeebek koeffitsientining o‘sish va pasayish jarayonlari tsiklik xarakterga ega ekanligini, bunga asosan zaryad tashuvchilarning harorat bilan bog‘liq sochilishi, mikrostrukturaviy nuqsonlar va texnologik parametrlardagi kichik farqlar sabab bo‘lishini tasdiqlaydi.

Mualliflar Bi₂Te₃–Sb₂Te₃ materiali nisbatan past harorat farqlari sharoitidayam yuqori Zeebek koeffitsientini saqlab turishi termoelektrik datchiklar va generatorda samarali foydalanish uchun qulay xususiyat ekani haqida xulosa chiqarishadi. Xususan, harorat farqi 20–35 K oralig‘ida α da pasayishlar, 40–65 K dan boshlab esa qayta ortish kuzatilgani, bu hodisalar materialdagi kristall panjara buzilishlari, elektron (yoki kovak)larning tarqalish xususiyatlari va texnologik jarayonlarning ta’siri bilan bog‘liq ekanligi aniqlanadi. Tadqiqotlar shuni ko‘rsatadiki, to‘rt zond usuli termoelektrik parametrlarni aniqlashda kontakt qarshiliklarini minimallashtirish orqali nisbatan aniqroq va ishonchli ma’lumotlarni olishga yordam beradi.

Maqolada keltirilgan tajribaviy natijalar, bir tomondan, Bi₂Te₃–Sb₂Te₃ moddasining termoelektrik xususiyatlarini nazariy va amaliy jihatdan baholash imkonini bersa, boshqa tomondan, kelgusida mikroenergetika va sensor texnologiyalari sohasida dasturlarni rivojlantirishda ushbu materialning yuqori samarador termosensor sifatidagi ahamiyatini yana-da kuchaytiradi. Bunday yupqa parda shaklidagi materiallarda ikki o‘lchovli qatlam strukturalari va nuqsonlar termoelektrik xossalarga sezilarli ta’sir ko‘rsatadi, bu esa kelgusida tarkibni optimallashtirish, texnologik jarayonni takomillashtirish hamda turli diapazondagi harorat farqlari uchun sinovlarni kengaytirish zaruratini yuzaga keltiradi.

Umuman olganda, maqolada Bi₂Te₃–Sb₂Te₃ asosidagi yupqa parda termoelektr elementlarning harorat gradienti oshgan sari Zeebek koeffitsienti izchil ravishda o‘zgarishi va asosan 130–135 mkV/K atrofida yuqori qiymatni saqlab turishi ko‘rsatib berilgan. Ushbu xususiyatlar, o‘z navbatida, mikro o‘lchamdagi issiqlik datchiklari, termojuft sensorlar va kichik termoelektr generatorlar ishlab chiqish uchun istiqbolli yo‘nalish hisoblanadi. Shuningdek, harorat farqi ~65 K dan katta qiymatlarda materialda yuz beradigan qo‘shimcha jarayonlarni (zaryad tashuvchilarning sochilish usullari, donachalar chegaralaridagi potensial to‘siq yoki bar’yerlar mavjudligi va boshqalar) chuqur tadqiq etish, natijalarni sanoat mikrodatchiklari hamda termoenergetik qurilmalar ishlab chiqarishda qo‘llash maqolaning dolzarbligini yana-da oshiradi.

Ushbu maqolada SnO₂ plyonkalarining sezgirlik xususiyatlarini  harorat bilan bog‘liqligi keltirilgan. Harorat oshgan sari plyonka yuzasidagi gaz molekulalari tezroq adsorbsiyalanadi, bu esa ularning elektr o’tkazuvchanligini o’zgartiradi. Shuningdek, haroratning ta’siri gaz sezgirlik tizimining javob tezligi va sezgirlik darajasini yaxshilaydi. Optimal harorat sensorlarning ishlash samaradorligini oshirishda muhim ahamiyatga ega. Biroq, juda yuqori haroratda plyonka materialining strukturaviy barqarorligi va sezgirligi pasayishi mumkin, bu esa sensorning uzoq muddatli ishlashiga salbiy ta’sir ko‘rsatadi. Shuningdek ,izotermik qizdirishdan keyin sezgir element elektr qarshiligi R_se ni qizdirgichdagi kuchlanishga bog’liqligi eksperimental tadqiqot qilinganda o’rganilgan. Natijalar shuni ko'rsatdiki, namunalar izotermik qizdirishdan keyingi sezgir elementni qarshiligi qizdirishda ham sovutishda ham deyarli bir xil qiymatga yaqinlashganini, ularning maksimal farqi 10 % (0.5 kOm) ga tengligi kelib chiqadi.

      This study presents the results of investigating the effects of nickel doping atoms on the structural, electrical, and optical properties of ZnO films obtained by the spray pyrolysis method. XRD images indicate that the films possess a polycrystalline nature, with the intensity of the (002) crystallographic direction being highest in ZnO and ZnO:Ni 1 at.% films. It was observed that for ZnO:Ni 3 and 5 at.% thin films, there is a shift from the (002) orientation to the (101) plane. The electrical properties show that the electrical resistance of samples with Ni added is lower compared to pure ZnO. All samples are n-type semiconductors with a carrier concentration of 10¹⁸cm³. The maximum value of light transmittance was found to be approximately 74%.

Установлено, что облучение g- квантами приводит к увеличению концентрации примесных центров  Pt  в n-Si<P,Pt>. Относительно низкие температуры распада этих центров и проведенный анализ позволяют связать их с комплексами междоузельных атомов примесей с вакансиями.

Ushbu ishda fotonlarni yutish mexanizmlarini, fotogeneratsiya jarayonlarini va orqa va ikki tomonlama yorug‘lik sharoitida muvozanatsiz zaryad tashuvchilarni yig‘ish samaradorligini batafsil tahlil qilish orqali ichki qatlamlarning dastlabki fizik parametrlari va ikki tomonlama yoritish moslamalarini loyihalash. Old tomonida p-n o‘tishga ega bo‘lgan sezgir quyosh elementlari o‘rganildi. Quyosh batareyalarini o‘rganish uchun zamonaviy raqamli simulyatsiya usuli ishlatilgan. Kremniy asosli quyosh elementlari modellari yuqori sirt yaqinida p-n birikmasini ajratib turadigan p⁺-p-n⁺ tuzilishini o‘z ichiga oladi. p-sohaning kirishma kontsentratsiyasining oshishi VAX egri chizig‘ining keskinligini sezilarli darajada oshiradi, bu quyosh elementi va p-n o‘tishining sifati yaxshilanganidan dalolat beradi. Xususan, 10¹⁵ sm⁻³ optimal kirishma kontsentratsiyasi samaradorlikni optimallashtirishda kirishma kontsentratsiyasining muhim rolini ko‘rsatib, eng yuqori samaradorlikni beradi. Bundan tashqari, kirishma kontsentratsiyasining o‘zgarishi asosiy parametrlarga differentsial ta’sir ko'rsatadi. Ta’kidlash joizki, ochiq kontaktlarning zanglashiga olib keladigan kuchlanishi, to‘ldirish koeffitsiyenti, samaradorlik, maksimal chiqish quvvati va ketma-ket qarshilik kirishma kontsentratsiyasining o‘zgarishiga aniq javob beradi. Shuning bilan kirishma kontsentratsiyasining 10¹³ sm⁻³ dan 10¹⁵ sm⁻³ gacha ko‘tarilishi ushbu parametrlar bo‘yicha sezilarli yaxshilanishlarga olib keladi, bu quyosh elementi samaradorligini oshirishda aniq kirishmalar nazoratining ahamiyatini bildiradi. Bir tomonlama hamda ikki tomonlama sezgir quyosh elementlarining fotoelektrik parametrlarini solishtirganda, ikki tomonlama sezgir quyosh elementining qisqa tutashuv toki va salt ishlash kuchlanishi bir tomonlama sezgir quyosh elementiga qaraganda 2 marta va 18 mV ga katta ekanligi aniqlandi